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Circuito Integrado Igtb K75t60 Ikw75n60t 75a 600 V To-247

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Descripción
Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode • Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) • Maximum Junction Temperature 175 C • Short circuit withstand time 5µs • Positive temperature coefficient in VCE(sat) • very tight parameter distribution • high ruggedness, temperature stable behaviour • very high switching speed • Low EMI • Very soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode • Qualified according to JEDEC1) for target applications • Pb-free lead plating; RoHS compliant