| 1 cuota de $58,90 sin interés | CFT: 0,00% | TEA: 0,00% | Total $58,90 |
| 2 cuotas de $34,85 | Total $69,70 | |
| 3 cuotas de $23,81 | Total $71,44 | |
| 6 cuotas de $13,18 | Total $79,07 | |
| 9 cuotas de $9,81 | Total $88,26 | |
| 12 cuotas de $8,07 | Total $96,89 | |
| 24 cuotas de $6,05 | Total $145,19 |
| 3 cuotas de $25,10 | Total $75,29 | |
| 6 cuotas de $13,82 | Total $82,93 |
| 3 cuotas de $25,36 | Total $76,08 | |
| 6 cuotas de $13,92 | Total $83,53 | |
| 9 cuotas de $10,42 | Total $93,75 | |
| 12 cuotas de $8,53 | Total $102,37 |
| 18 cuotas de $6,71 | Total $120,75 |
Tipo FET: Canal N
Tecnología: MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC: 33 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.): 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id: 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs: 71nC @ 10V
Vgs (máx.): ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds: 1960pF @ 25V
Característica de FET: -
Disipación de potencia (máx.): 130 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C: 44 mOhm a 16 A, 10 V
Temperatura de operación: -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje: Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor: TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa): TO-220-3
