Transistor Igbt Hgtg40n60a4 40n60 600v

Name: Transistor Igbt Hgtg40n60a4 40n60 600v
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Descripción

Empaquetado / Estuche: TO-247-3
Estilo de montaje: Through Hole
Configuración: Single
Voltaje colector-emisor VCEO máx.: 600 V
Voltaje de saturación colector-emisor: 2.3 V
Voltaje puerta-emisor máximo: +/- 20 V
Corriente continua del colector a 25 C: 80 A
Pd (disipación de potencia): 290 W
Temperatura operativa mínima: - 55 C
Temperatura operativa máxima: + 150 C
Serie: FGH40N60SF_F085
Corriente continua del colector Ic Máx.: 40 A

2 cuotas de $226,03		Total $452,06
3 cuotas de $154,44		Total $463,33
6 cuotas de $85,47		Total $512,80
9 cuotas de $63,60		Total $572,43
12 cuotas de $52,37		Total $628,39
24 cuotas de $39,23		Total $941,63

3 cuotas de $162,77		Total $488,31
6 cuotas de $89,64		Total $537,86

3 cuotas de $164,46		Total $493,39
6 cuotas de $90,29		Total $541,71
9 cuotas de $67,56		Total $608,03
12 cuotas de $55,33		Total $663,95

Transistor Igbt Hgtg40n60a4 40n60 600v

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